HBM 베이스 다이란? HBM4가 맞춤형 메모리로 변하는 이유
지난 글에서는 HBM3E와 HBM4의 차이를 살펴봤습니다. HBM4는 입출력 통로를 1,024개에서 2,048개로 늘려 HBM3E보다 훨씬 많은 데이터를 동시에 전달할 수 있게 됐습니다. 하지만 HBM4의 변화는 데이터 통로가 넓어진 것에서 끝나지 않습니다. HBM 아래쪽에서 데이터와 신호의 흐름을 관리하는 베이스 다이도 크게 달라지고 있습니다. HBM4부터는 메모리 칩을 얼마나 잘 쌓는지만큼, 맨 아래의 베이스 다이를 어떻게 설계하는지가 중요해졌습니다. 그렇다면 … 더 읽기